本網訊 2月27日，華磊光電公司博士后工作站中期匯報會在公司大會議室舉行，我公司與中國科學院半導體所聯合培養的博士后梁萌，對“非晶襯底上石墨烯基GaN LED”項目進展進行了匯報。

     中國科學院半導體所原所長、中國科學院半導體所照明研發中心主任李晉閩，副主任伊曉燕，中國科學院半導體所照明研發中心原總工程師王良臣，特邀嘉賓中南大學教授汪煉成，公司董事長、黨委書記黃奐果，董事、總經理、黨委副書記許亞兵等出席會議。

     據了解，該項目的研究目標為“提供氮化物大失配體系和高缺陷密度外延生長的顛覆性解決方案，實現不依賴襯底的高質量氮化物外延生長技術，推動新一代半導體材料發展”。目前該項目取得了階段性成果：一是在非晶襯底上實現了高質量的納米柱生長；二是在非晶襯底上實現了氮化物薄膜生長；三是非晶襯底上實現了氮化物LED，變溫PL顯示量子阱發光峰位于474nm處，且發光效率較高，IQE為48.7%，是目前國際文獻報道的最好水平。

     會上，專家評審組成員李晉閩、王良臣、伊曉燕、汪煉成等首先對梁萌研究課題內容進行了提問，對后續的研究方向給出了建議。并就雙方進一步的合作，特別是在國家“十三五”重點研發計劃項目以及“十四五”項目前期準備工作等政府科技項目合作，與我公司進行了深入交流。